SBI 蓝色 lnGaN/sic 430 HY 超亮黄色 AlGalnP 595

SBK 较亮蓝色 lnGaN/sic 468 SE 高亮桔色 GaAsP/GaP610

DBK 较亮蓝色 GaunN/Gan470 HE 超亮桔色 AlGalnP 620

SGL 青绿色 lnGaN/sic 502 UE 最亮桔色 AlGalnP 620

DGL 较亮青绿色 LnGaN/GaN505 URF 最亮红色 AlGalnP 630

DGM 较亮青绿色 lnGaN 523 E 桔色 GaAsP/GaP635

PG 纯绿 GaP 555 R 红色 GAaAsP 655

SG 标准绿 GaP 560 SR 较亮红色 GaA/AS 660

G 绿色 GaP 565 HR 超亮红色 GaAlAs 660

VG 较亮绿色 GaP 565 UR 最亮红色 GaAlAs 660

UG 最亮绿色 AIGalnP 574 H 高红 GaP 697

Y 黄色 GaAsP/GaP585 HIR 红外线 GaAlAs 850

VY 较亮黄色 GaAsP/GaP585 SIR 红外线 GaAlAs 880

UYS 最亮黄色 AlGalnP 587 VIR 红外线 GaAlAs 940

UY 最亮黄色 AlGalnP 595 IR 红外线 GaAs 940

1.晶片厂商名称：A.光磊（ED） B.国联（FPD） C.鼎元（TK） D.华上（AOC） E.汉光（HL） F.AXT G.广稼

2.晶片在生产使用过程中需注意静电防护。

单晶片结构和双晶片结构如图所示。

晶片形状为正方形或长方形，上表面有单电极或双电极，红光与黄光晶片多数为单电极晶片，且上表面有正或负极。

蓝/绿晶片多数为双电极，且一般圆形电极为正极。具体电极情况请参照晶片规格书。

晶片按尺寸分，较常用的有以下规格：

（1mil=25.4µm）

小尺寸

7*9mil

9*11mil

12*12mil

10*18mil

14*14mil

15*15mil

10*23min

大尺寸

24*24mil

28*28mil

40*40mil

45*45mil

60*60mil

1、评估流程：

来料检验==>安排试产==>固晶实验==>焊线实验==>老化实验==>不良分析==>OK/NG

2、检验项目包括：

2.1.来料资料有无规格书（没有规格书不建议盲目的去实验）。

2.2.来料的芯片参数（亮度、电压、波长等）是否符合规格要求，外观（电极位置）是否与规格书上相同。

2.3.尺寸测量：需要采用精确的高倍显微镜进行测量，实际尺寸是否符合要求；包括芯片的长、宽、高、电极大小等。

2.4.电性检测：VF、IV、WL、IR、极性等实际测试是否符合要求。

此项有很多厂商没有条件测试，建议在试做过程中去做成成品测试（但极性最好先进行确认）；

3、试产

外观检查OK后就开始进行排单实验其他性能是否适合批量投产，排单时准备好相关资料与试产资料。

4、固晶评估项目：

a.PR识别的能力

b.气压压力

c.顶针高度

d.吸嘴大小

e.焊头压力

f.芯片膜的粘性

g.产能如何等

h.推力（推后现象）

若有问题均要有记录。

焊线评估项目：

a.焊线压力

b.功率

c.时间

d.焊线热板温度

e.PR识别能力

f.弧高

g.金球大小

h.产能

i.拉力大小（断点位置）

若有问题均要有记录。

5、老化实验

a.电性测试（包括ESD）；

b.按信赖性实验标准取材料准备分别做以下实验：

实验前产品需要编号测试VF/IR/IV/WL性能，产品要与数据对应）。

实验一：常温点亮保存（条件Ta=25±5℃,RH=55±20%RH，20mA通电1000hrs）

实验二：高温高湿点亮（条件Ta=85+5、-3℃,RH=85%+5、-10%，20mA通电1000hrs）

实验三：冷热冲击[条件Ta=85℃（30分钟）～Ta=25℃（30分钟）～Ta=-40℃（30分钟）～Ta=85℃（30分钟）]

其他实验可以根据自己的需要进行选择；

实验过程中每100/168小时测试一次；

所有不良品均要分析。